ٹائٹینیم الائے، دوسرے عناصر کے ساتھ بیس میٹل کے طور پر ٹائٹینیم پر مشتمل ہے، بہت سے فوائد پیش کرتے ہیں جیسے کم کثافت، اعلی طاقت سے وزن کا تناسب، بہترین سنکنرن مزاحمت، اور سازگار پروسیسنگ خصوصیات۔ یہ اوصاف ٹائٹینیم مرکبات کو ایرو اسپیس ساختی مواد کے لیے ایک مثالی انتخاب بناتے ہیں۔ حقیقی دنیا کے پیداواری ماحول میں، ٹائٹینیم مرکب میں مختلف قسم کے سنکنرن ہو سکتے ہیں، ہر ایک اپنی الگ شکلوں اور بنیادی میکانزم کے ساتھ۔ یہ مضمون ٹائٹینیم مرکبات سے وابستہ سنکنرن کی شکلوں اور میکانزم کا ایک جامع جائزہ فراہم کرتا ہے، ان کی اہمیت اور مضمرات کو اجاگر کرتا ہے۔
دراڑ سنکنرن
کریوس سنکنرن دھاتی اجزاء کے دراڑوں یا نقائص پر اس وقت ہوتا ہے جب ایک الیکٹرولائٹ ایک جمود والا مائکرو ماحولیات بناتا ہے، جس کے نتیجے میں مقامی سنکنرن ہوتا ہے۔ غیر جانبدار اور تیزابیت والے محلولوں میں، ٹائٹینیم کھوٹ کے دراڑوں میں رابطے کے سنکنرن کا امکان الکلائن محلول کی نسبت نمایاں طور پر زیادہ ہے۔ تاہم، رابطہ سنکنرن پوری کریوس کی سطح کو متاثر نہیں کرتا ہے لیکن بالآخر مقامی سوراخ کی ناکامی کا باعث بنتا ہے۔
Pitting سنکنرن
ٹائٹینیم زیادہ تر نمک کے محلولوں میں سنکنرن کے خلاف بہترین مزاحمت کا مظاہرہ کرتا ہے۔ تاہم، غیر آبی محلولوں اور ابلتے ہوئے مرتکز کلورائد محلول میں گڑھے کی سنکنرن ہونے کا زیادہ خطرہ ہوتا ہے۔ ایسے ماحول میں، ہالائیڈ آئن ٹائٹینیم کی سطح پر موجود غیر فعال فلم پر حملہ کرتے ہیں، جس کی وجہ سے گڑھے کے قطر ان کی گہرائی سے چھوٹے ہوتے ہیں۔ کچھ نامیاتی میڈیا ہالائڈ محلول میں ٹائٹینیم مرکبات پر سنکنرن پیدا کر سکتا ہے۔ ٹائٹینیم مرکب دھاتوں میں سنکنرن پیدا کرنا عام طور پر اعلی حراستی اور اعلی درجہ حرارت کے حالات میں ہوتا ہے۔ مزید برآں، سلفائیڈ اور کلورائد ماحول میں پٹنگ کے لیے مخصوص حالات اور حدود ضروری ہیں۔
ہائیڈروجن کی خرابی
ہائیڈروجن ایمبرٹلمنٹ (ایچ ای)، جسے ہائیڈروجن انڈسڈ کریکنگ یا ہائیڈروجن ڈیمیج بھی کہا جاتا ہے، ٹائٹینیم الائیز میں ابتدائی مرحلے کی ناکامی کے طریقہ کار میں سے ایک ہے۔ ٹائٹینیم اور اس کے مرکب کی سطح پر غیر فعال آکسائڈ فلم اعلی طاقت کے مالک ہے، اور ہائیڈروجن کی خرابی کی حساسیت بڑھتی ہوئی طاقت کے ساتھ بڑھتی ہے. اس طرح، ٹائٹینیم مرکب دھاتوں پر غیر فعال فلم کی ہائیڈروجن کی خرابی انتہائی حساس ہے۔
Galvanic سنکنرن
ٹائٹینیم کی سطح پر غیر فعال آکسائڈ فلم ٹائٹینیم کے الیکٹروڈ صلاحیت میں مثبت تبدیلی کو فروغ دیتی ہے، اس کے تیزاب اور پانی کی مزاحمت کو بڑھاتی ہے۔ تاہم، ٹائٹینیم مرکب دھاتوں کی نسبتاً زیادہ صلاحیت دیگر دھاتوں کے ساتھ رابطے میں ایک الیکٹرو کیمیکل سرکٹ بنا سکتی ہے، جس سے گالوانک سنکنرن ہوتا ہے۔ ٹائٹینیم مرکب دو قسم کے میڈیا میں گالوانک سنکنرن کا شکار ہیں: پہلی قسم میں نل کا پانی، نمکین محلول، سمندری پانی، ماحول، نائٹرک ایسڈ، ایسٹک ایسڈ وغیرہ شامل ہیں، جہاں Cd، Zn، اور Al کی مستحکم الیکٹروڈ صلاحیت زیادہ ہے۔ Ti کے مقابلے منفی، جس کے نتیجے میں انوڈک سنکنرن کی شرح میں نمایاں اضافہ (6-60 گنا) ہوتا ہے۔ دوسری قسم میں H2SO4، HCl، وغیرہ شامل ہیں، جہاں Ti ایک غیر فعال یا فعال حالت میں ہو سکتا ہے۔ تاہم، رابطے کے دوران عام طور پر دیکھا جانے والا گالوانک سنکنرن عام طور پر پہلی قسم کے سنکنرن میڈیا میں ہوتا ہے۔ انوڈائزنگ ٹریٹمنٹس کو عام طور پر سبسٹریٹ کی سطح پر تبدیل شدہ تہوں کی تشکیل کے لیے استعمال کیا جاتا ہے، جس سے گالوانک سنکنرن کو روکا جاتا ہے۔
ٹائٹینیم مرکب میں سنکنرن کی مختلف شکلوں اور ان کے طریقہ کار کو سمجھنا سنکنرن مزاحم مواد اور ڈھانچے کو ڈیزائن کرنے کے لیے بہت ضروری ہے۔ کریائس سنکنرن، پٹنگ سنکنرن، ہائیڈروجن کی خرابی، اور گالوانک سنکنرن نمایاں سنکنرن شکلیں ہیں جو مختلف ماحول میں ٹائٹینیم مرکب کی کارکردگی اور سالمیت کو متاثر کر سکتی ہیں۔
